（全媒體記者張兮）1月10日，記者從市科技局獲悉，三安光電以“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產(chǎn)業(yè)化”項目，與中科院等聯(lián)袂榮獲國家科學技術進步獎一等獎。

國家科學技術獎是我國科學技術領域的最高獎，分為國家最高科學技術獎、國家自然科學獎、國家技術發(fā)明獎、國家科學技術進步獎和中華人民共和國國際科學技術合作獎五個獎項，每年評審一次，每年授獎總數(shù)不超過300項。

據(jù)了解，此次三安光電與中科院半導體研究所，通過共同承擔國家科研任務、簽署技術合作協(xié)議等方式開展密切合作，攻關半導體照明產(chǎn)品光電轉化效率、長期工作可靠性等核心技術難題。最終，項目從半導體照明材料、芯片、封裝、模組與應用全鏈條形成了具有自主知識產(chǎn)權的高光效長壽命半導體照明全套技術，實現(xiàn)了國內產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)芯片技術產(chǎn)業(yè)化與核心器件國產(chǎn)化。

項目成果包括P型氮化物摻雜與量子阱結構設計、微納圖形化襯底及成核技術、新型緩沖層的高質量氮化物外延技術、激光誘導光提取技術等多項外延芯片技術率先在三安光電進行推廣與量產(chǎn)。這些成果促進了三安光電外延芯片的技術發(fā)展，使得我國半導體照明芯片由完全依賴進口到自主可控全面國產(chǎn)化，實現(xiàn)了替代進口。

2019年4月24日，LED芯片龍頭企業(yè)三安光電與葛店開發(fā)區(qū)管委會簽訂項目投資合同。7月29日，三安光電在葛店開發(fā)區(qū)舉行Mini/Micro LED顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項目開工儀式。

該項目作為全球首個大規(guī)?；诘谌雽w、代表新型顯示產(chǎn)業(yè)方向的光電芯片項目，總投資120億元，占地約756畝，總建筑面積達47.77萬平方米。項目將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)基地。項目建成后，預計氮化鎵芯片年產(chǎn)161萬片、砷化鎵芯片系列年產(chǎn)75萬片、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品年產(chǎn)84000臺。產(chǎn)品主要供應三星、華為、蘋果等全球知名公司，預計年實現(xiàn)銷售收入72億元、利潤總額17.84億元、稅收9.3億元。

目前，三安光電在我市的Mini/Micro LED顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項目建設進展順利。